18核心Broadwell-EP和EX至強芯片 [複製鏈接]

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電梯直達

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發表於 2013-12-20 09:22:25 |只看該作者 |正序瀏覽

　　根據VR-Zone本周的報道，該公司將推出一款18核心的Broadwell-EP和EX至強芯片，並且會采用14nm工藝進行生產。此外，該網站還放出瞭傳說中的幻燈片，並說到："Intel不會...提升核心的速率，而是在每個芯片上堆疊更多的核心"。

在不太遙遠的將來，英特爾計劃推出什麼樣的高性能芯片？根據VR-Zone本周的報道，該公司將推出一款18核心的Broadwell-EP和EX至強芯片，並且會采用14nm工藝進行生產。此外，該網站還放出瞭傳說中的幻燈片，並說到："Intel不會...提升核心的速率，而是在每個芯片上堆疊更多的核心"。

不過，在2015年之前，報道中的多核芯片應該不會很快到來。當然，Intel同樣計劃推出8核心到10核心的高性能臺式機/工作站處理器。

作為當前Haswell處理器的繼任者，預計首批Broadwell芯片將在明年下半年露面。而截至目前，英特爾的最高核心數還停留在12核。如果軟件能夠充分發揮處理器的性能，更多的核心就能帶來更好的性能。

    不過這還不是Intel Broadwell計劃的全部。CPU World的報道稱：拋開頻率不談，在功耗方面，未來的Broadwell芯片還有望將TDP降至4.5W。這必將在在平板電腦與2合1市場掀起大的波瀾。
    對於此事，英特爾未予置評。

    [編譯自：Cnet , 來源：VR-Zone , via：CPU World]