TSMC：Intel宣傳有誤我們工藝不差 [複製鏈接]

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發表於 2014-1-24 23:42:10 |只看該作者 |倒序瀏覽

　　TSMC創始人兼董事長張忠謀表示，通常他們不會評論其他公司的技術，但是Intel之前的宣傳有誤，因此他不得不讓TSMC副總Mark Liu作出解釋。如上圖所示，橫坐標是工藝節點，靠前的數字如32nm、22nm、14nmFF是Intel的制程工藝，而28、20、16FF是TSMC的制程工藝，縱坐標則是邏輯電路的核心面積，其中藍色曲線是Intel制程工藝與面積的走勢圖，灰色的是Intel之前PPT上的TSMC的走勢，但是Intel引用的資料是錯誤的，已經過時瞭，紅色曲線才是TSMC真正的走勢圖，Intel的資料誇大瞭二者之間的差距。

Intel如何在移動處理器市場立足？
他們最大的籌碼還是自己的半導體工藝技術，更先進的工藝可以帶來更強的性能、更低的功耗。此前Intel表示他們的制程工藝領先對手三年半，雖然沒有指名道姓，但是誰都知道Intel所說的競爭對手其實是指TSMC臺積電。如今TSMC也要反擊瞭，指Intel之前所用的TSMC工藝數據圖是過時的數據，TSMC的工藝並不比Intel差多少。

    在日前的一次會議上，TSMC創始人兼董事長張忠謀表示，通常他們不會評論其他公司的技術，但是Intel之前的宣傳有誤，因此他不得不讓TSMC副總Mark Liu作出解釋。如上圖所示，橫坐標是工藝節點，靠前的數字如32nm、22nm、14nmFF是Intel的制程工藝，而28、20、16FF是TSMC的制程工藝，縱坐標則是邏輯電路的核心面積，其中藍色曲線是Intel制程工藝與面積的走勢圖，灰色的是Intel之前PPT上的TSMC的走勢，但是Intel引用的資料是錯誤的，已經過時瞭，紅色曲線才是TSMC真正的走勢圖，Intel的資料誇大瞭二者之間的差距。
    按照規劃，TSMC今年會量產20nm工藝，但是20nm不會持續很久，一年後的2015年TSMC就會上馬16nm FinFET工藝，因為16nm與20nm工藝是後端兼容的，而FinFET鰭式晶體管（Intel的說法是3D晶體管）可以大幅改善電路性能，核心面積也能縮小15%。Mark Liu表示他們的16nm工藝是晶體管密度最大的制程工藝。
    TSMC也不得不承認的是在16nm FF工藝之前，Intel確實有工藝優勢，不過差距在縮小，16nm FF工藝隻落後Intel一點，而到瞭10nm節點TSMC會啟用第三代FinFET工藝，該技術能帶來業界領先的性能與晶體管密度。
[via:Expreview超能網]